【復刻版】ＰＬＤ法によるＵＨＱ（超高品質）ＩＴＯ膜の研究開発
２０００年６月１３日より公開を開始しました。
２００１年７月１０日に更新しました。
２００３年１２月２６日に更新しました。
２０１１年８月１１日より【復刻版】の公開を開始しました。
１．概要
工業技術センターでは平成９〜１１年度ＮＥＤＯ地域コンソーシアム共同研究に参加し、京都大学附属イオン工学実験施設、工業技術院大阪工業技術研究所（現産業技術総合研究所）、立命館大学、（株）サムコインターナショナル研究所、三容真空工業（株）、（株）松下テクノリサーチ、（財）大阪科学技術センター（管理法人）と共同で「ＵＨＱ（超高品質）ＩＴＯ膜に関する研究開発」（総括代表者：京都大学山田公教授）を実施しました。
このプロジェクトの目的は、１００℃以下の低い成膜温度で１０−４Ωｃｍ以下の抵抗率をもつＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）透明導電膜の開発でした。当センターはＰＬＤ（パルスレーザー蒸着）法によるＩＴＯ膜の作製とＳＲ（シンクロトロン放射光）を用いた構造評価を担当しました。
その結果、基板へのレーザーアシスト照射を組み合わせたＰＬＤ法によって、抵抗率８．９×１０−５Ωｃｍ（成膜時基板温度２００℃）、さらに１．２×１０−４Ωｃｍ（同、室温時）と目標値に近い低抵抗率膜を得ることができました。
また、ＳＰｒｉｎｇ−８兵庫県ビームラインによる膜の結晶構造解析により高品質ＩＴＯ膜の構造的特徴を明らかにしました。
２．透明導電膜
透明かつ電気を通す原理、応用、透明導電膜材料、膜の作製方法について紹介します。
３．ＰＬＤ装置
本研究で用いたＰＬＤ装置について説明します。
成膜条件（組成、基板温度、酸素分圧）と膜の構造（結晶構造、表面構造）、電気・光学的性質の実験結果を整理して示します。
低抵抗率のＩＴＯ膜をより低い基板温度で作製する方法を示します。
ＳＰｒｉｎｇ−８からのシンクロトロン放射光によって高品質ＩＴＯ膜の構造的特徴を明らかにします。
ＩＴＯ膜中の活性なＳｎの化学状態分析を行います。
研究メンバーの紹介
９．発表リスト
工業技術センターでは、透明導電膜をはじめとする各種無機薄膜（誘電体膜、ＤＬＣ膜、ゾル・ゲル膜など）の作製、分析、物性評価に関する相談、依頼試験、共同研究を受け付けています。相談は無料ですので、電話、ＦＡＸ、メール等でお気軽にご連絡ください。
環境・バイオ部 吉岡秀樹
E-mail hide@hyogo-kg.go.jp
